| 专利名称 | 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210285542.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579495A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 吴昊;丰家峰;陈军养;韩秀峰 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法 至一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法，该磁性纳米多层膜包括由下至上依次叠合的基片、种子层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，该参考磁性层用于将该探测磁性层的磁矩转动的信息转化成电信号，该探测磁性层用于感应被探测磁场，该磁性纳米多层膜为半开或闭合的环状结构以使该磁性纳米多层膜沿该环状结构的长度方向形成闭合磁路，该环状结构的宽度远小于该环状结构的边长，以利用该环状结构的形状各向异性和该闭合磁路使该探测磁性层的磁矩沿着该环状结构的边长方向。本发明还公开了该磁性纳米多层膜的制备方法。 |
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