| 专利名称 | 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法 | 申请号 | CN201210284760.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579499A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳;杨晓一;孙鹏霄 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法 至具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括：下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工艺简单、制造成本低，并且在低阻态时具有整流特性，能够有效抑制读串扰问题。 |
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