| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210250438.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103578987A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法包括：在衬底上生长第一外延层；在第一外延层上形成牺牲栅堆叠；选择性刻蚀第一外延层；在衬底上生长并原位掺杂第二外延层；在牺牲栅堆叠两侧形成侧墙；以及以侧墙为掩模，形成源/漏区。 |
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