| 专利名称 | 制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法 | 申请号 | CN201310553763.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579461A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李璟;杨华;薛斌;王国宏;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;G09F9/33(2006.01)I | 专利有效期 | 制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法 至制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障