| 专利名称 | 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 | 申请号 | CN201310585868.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103578977A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王维颖;毛德丰;李维;金鹏;王占国 | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 至提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N2氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN外延薄膜的荧光强度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障