| 专利名称 | 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法 | 申请号 | CN201310510519.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103576221A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法 至一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。 |
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