| 专利名称 | 利用反射光谱测量单晶硅基太阳能表面增透膜的方法 | 申请号 | CN201210281822.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103575703A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京智朗芯光科技有限公司 | 发明（设计）人 | 刘涛;王林梓;李国光;夏洋;艾迪格·基尼欧;马铁中 | 主分类号 | G01N21/47(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/47(2006.01)I;G01B11/06(2006.01)I | 专利有效期 | 利用反射光谱测量单晶硅基太阳能表面增透膜的方法 至利用反射光谱测量单晶硅基太阳能表面增透膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种利用反射光谱测量单晶硅基太阳能电池表面增透膜的方法，包括通过建模模拟计算分别得出包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的总反射效率A与不包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的总反射效率B；基于所述总反射效率A和所述总反射效率B求出单晶硅基太阳能电池的相对反射比率Rcal；测量包含增透膜的单晶硅基太阳能电池相对于不包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的反射比率R；将所述Rcal与所述R比较，模型中设定增透膜厚度及增透膜材料的光学常数或光学常数物理模型的系数为变量，通过数值回归的曲线拟合过程，计算得出膜厚与材料光学常数。本发明提高了反射率测量方法测量硅基太阳能样品薄膜特征的准确度，拓展了光谱反射仪的应用领域，使测量硬件结构更加简单，成本更低。 |
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