| 专利名称 | 制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法 | 申请号 | CN201310553600.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579478A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李璟;王国宏;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/62(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 专利有效期 | 制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法 至制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。 |
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