| 专利名称 | 电容拓扑结构及集成电路 | 申请号 | CN201310034149.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579222A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 陆波 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 专利有效期 | 电容拓扑结构及集成电路 至电容拓扑结构及集成电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种电容拓扑结构及集成电路，其中电容拓扑结构包括多个电容单元，电容单元包括位于中央的正N边形MIM电容以及围绕在正N边形MIM电容周围的侧壁电容，侧壁电容包括中央镂空的多层第一金属层，镂空部分的形状与正N边形MIM电容的形状相适配，多层第一金属层之间通过第一过孔相连，采用正N边形MIM电容，周围围绕侧壁电容，使正N边形MIM电容每条边的环境一致，在集成电路版图面积相同的情况下，可提高多个MIM电容之间的匹配度，节约版图面积，提高紧凑度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障