| 专利名称 | 一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法 | 申请号 | CN201210258454.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103578934A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威;薛百清 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法 至一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述锗衬底结构包括硅衬底、结晶氧化铍层和结晶锗层。所述方法通过在单晶硅衬底表面上沉积结晶金属铍层，通过氧化的方法，形成适于锗层外延的结晶氧化铍层,进而在该结晶氧化铍层表面外延形成单晶锗层。本发明提供的硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低等优点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障