| 专利名称 | 功率半导体模块封装工艺的测试方法及系统 | 申请号 | CN201210254531.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579032A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 郑利兵;花俊;方化潮;韩立;王春雷;靳鹏云 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 功率半导体模块封装工艺的测试方法及系统 至功率半导体模块封装工艺的测试方法及系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种功率半导体模块芯片焊接工艺的测试方法及系统、一种功率半导体模块铝线键合工艺的测试方法及系统，和包括芯片焊接工艺和铝线键合工艺测试的封装工艺的测试方法及系统。本发明用电加热器件模拟工况，通过给电加热器件施加脉冲电压/电流，和/或施加循环测试电压/电流给芯片焊接后的被测件加热，或者给铝线键合后的被测件施加工作电压/电流，和/或施加循环测试电压/电流，采用红外热像仪对被测件进行温度场分布测试；根据被测件或其铝线键合点的温度场分布情况是否有异常，确定芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺是否有缺陷。实现了芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺的在实际工况条件下动态监测，降低了测试成本。 |
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