| 专利名称 | 一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法 | 申请号 | CN201310568131.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103572237A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 汪爱英;周凯;张栋;邹友生;郭鹏;柯培玲 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法 至一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法。该方法选用硼作为掺杂元素，将线性离子源沉积技术与磁控溅射沉积技术相结合，以硼靶为溅射靶，再通入含碳气源，利用线性离子源沉积碳膜的同时溅射沉积硼元素，得到硼掺杂类金刚石薄膜，然后连接导线，得到硼掺杂类金刚石薄膜电极。与现有技术相比，该方法绿色环保，工艺简单，成本低，制得的电极具有良好的电化学性能，因此具有良好的应用前景。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障