| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | 申请号 | CN201210285604.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579004A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;许淼 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种FinFET及其制造方法，该FinFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的应力作用层；应力作用层上的半导体鳍片，该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁；半导体鳍片的侧壁上的栅极介质层；栅极介质层上的栅极导体层；以及半导体鳍片的两端处的源区和漏区，其中应力作用层在半导体鳍片下方与半导体鳍片平行延伸，使得应力作用层沿着半导体鳍片的长度方向对半导体鳍片施加应力。 |
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