| 专利名称 | 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法 | 申请号 | CN201310511425.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103576242A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 毛旭;魏伟伟;吕兴东;杨晋玲;杨富华 | 主分类号 | G02B6/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/26(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法 至一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法。该方法在微纳加工工艺的基础上，采用体硅加工技术制作可变光衰减器的固定挡光板和活动挡光板，通过在固定挡光板、活动挡光板上淀积挡光材料，起到对光束的遮挡限制作用；固定挡光板上制作通光孔，用于约束光斑大小，限制光的衍射作用；通过光刻、刻蚀等工艺制作可变光衰减器的活动挡光板，使活动挡光板能够在外加驱动力的作用下线性运动，通过控制活动挡光板位置，实现对传输光能量的精确调节；最后通过圆片级键合，集成可变光衰减器固定挡光板和活动挡光板，实现对传输光能量的可控调节。上述方法采用常规的微纳加工方法，工艺成熟可靠，制作精度高，可大大降低成本，适用于规模化生产。 |
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