| 专利名称 | 一种自持硅纳米线阵列的制备方法 | 申请号 | CN201210277560.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103572312A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 李灿;肇极;李军;应品良 | 主分类号 | C25B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C25B1/00(2006.01)I;C25B11/00(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I | 专利有效期 | 一种自持硅纳米线阵列的制备方法 至一种自持硅纳米线阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种自持硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法将含硅原料经过金属网和金属丝固定形成金属网覆盖的电极，然后将此电极置于600-1100°C的熔融盐中，对电极采用含碳电极，在惰性气氛或真空下施加1.7-2.5V的槽电压脱氧还原；反应后冷却取出，经过洗涤，剥离，即得到自持的硅纳米线阵列。其长度可以通过选用的原料厚度和反应的时间调节。纳米线阵列由晶体硅纳米线组成，特别的，纳米线之间具有横向的连接结构，具有一定的强度，不需要载体支撑而可以保持结构稳定。本制备方法可以快速廉价的制备自持硅纳米线阵列，尺度可调，适用于规模生产。 |
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