| 专利名称 | 一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法 | 申请号 | CN201310151062.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103563984A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 方世东;孟月东;沈洁;程诚;魏钰;李绪奇;左潇;陈龙威 | 主分类号 | A01N59/16(2006.01)I | IPC主分类号 | A01N59/16(2006.01)I;A01P1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法 至一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法，首先通过浸渍银前驱体，在氧化石墨烯表面负载银离子；再在室温下用中气压氢气冷等离子体射流处理，将银离子还原成银纳米粒子，得到氧化石墨烯/银复合材料。本发明利用等离子体还原前驱物的方法，避免使用对环境有污染的化学试剂，由于在干态下还原，大大减少了贵金属的流失，可以高效制备氧化石墨烯/银复合材料。样品透射电镜图片也证实了银纳米离子均匀分布在氧化石墨烯表面。 |
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