| 专利名称 | 带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法 | 申请号 | CN201210258806.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103569945A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董立军;赵超 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I | 专利有效期 | 带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法 至带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法，首先在硅衬底上形成测序用纳米孔阵，再在测序用纳米孔阵的上方形成氮化硅防阻塞孔阵。形成氮化硅防阻塞孔阵的方法包括以下步骤：在形成有测序用纳米孔阵的器件上方双面沉积牺牲层；刻蚀牺牲层形成下一步低应力氮化硅的附着区；在低应力氮化硅附着区上双面沉积LPCVD氮化硅层；刻蚀氮化硅层形成防阻塞孔；最后通过KOH或其他碱腐蚀去除体硅和牺牲层硅。本发明在测序用纳米孔阵的上方制作了防阻塞孔阵，因此在用于分子检测、基因测序时，可防止大于DNA直径的外来颗粒堵塞纳米孔阵，保证分子检测、基因测序的正常进行。由于本发明通过半导体集成方法制作，所以成本低、效果好。 |
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