| 专利名称 | 一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法 | 申请号 | CN201310594591.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103575708A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周鹏宇;孙宝权;窦秀明;武雪飞;丁琨 | 主分类号 | G01N21/63(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/63(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G01J11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法 至一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法。该方法依靠准静水压压力装置对光通讯波段的半导体发光材料施加压力，将其发光波长向短波方向移动，而进入硅单光子探测的光谱探测范围，结合配有两个硅单光子探测器的HBT单光子测试系统进行检测，可以快速检测半导体样品位于光通讯波段的发光的单光子特性，具有简单、快速、高效、经济的优点。 |
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