| 专利名称 | 一种贵金属陶瓷薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201310486551.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103572233A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 高俊华;曹鸿涛;俞科;涂承君;梁凌燕;刘志敏 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种贵金属陶瓷薄膜及其制备方法 至一种贵金属陶瓷薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种贵金属陶瓷薄膜，所述贵金属陶瓷薄膜包括贵金属合金/陶瓷复合层和陶瓷钝化层，所述复合层中贵金属合金粒子嵌入到陶瓷相中，复合层表面覆盖陶瓷钝化层；所述贵金属合金的基体金属为Ag，掺杂金属为Al或Ti；所述的陶瓷相为Al2O3或SiO2；所述的陶瓷钝化层为Al2O3或SiO2钝化层。本发明还公开了该贵金属陶瓷薄膜的制备方法，通过多靶磁控共溅射的技术来实施，其制备工艺简单，薄膜成分及其微结构易于调控，所获得的贵金属陶瓷薄膜在紫外和可见光区域具有强的表面等离子体共振吸收特性，并具备优异的耐高温性能。 |
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