| 专利名称 | 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 | 申请号 | CN201310580966.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579375A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 至一种SiC肖特基二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N++-SiC衬底和N--SiC外延层，N--SiC外延层形成于N++-SiC衬底之上，且N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，N--SiC外延层表面设有肖特基接触电极，肖特基接触电极之下有选择性P+-SiC区域环，P+-SiC区域环之下有与P+-SiC区域环对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；肖特基接触电极的外围设有多个P+-SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。本发明使得SiC肖特基二极管的导通电压与Si肖特基二极管的导通电压相近，不仅与原有采用Si器件的系统匹配良好，而且可应用于Si肖特基器件所不能达到的高压600V-1200V的开关电源和功率因数校正电路中。 |
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