| 专利名称 | 一种单斜相二氧化钒外延薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201310597765.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103556218A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 邹崇文;陈实;樊乐乐;吴自玉 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单斜相二氧化钒外延薄膜及其制备方法 至一种单斜相二氧化钒外延薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种单斜相二氧化钒外延薄膜及其制备方法，包括以下步骤：在真空条件下，将钒原子束和氧原子束喷射到衬底上进行反应，外延生长得到单斜相二氧化钒外延薄膜。本发明所制备的单斜相二氧化钒外延薄膜，具有较高的质量和较大的尺寸，而且宏观相变特征显著。 |
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