| 专利名称 | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201310574824.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103560153A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘畅;俞文杰;赵清太;王曦 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 至一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一具有顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底，在所述顶层硅两侧进行离子注入分别形成源极和漏极；在所述SOI衬底表面自下而上依次形成本征硅层、栅介质层和栅极层；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述本征硅层、栅介质层和栅极层形成堆叠结构，所述堆叠结构与所述源极部分交叠、与所述漏极在水平方向上具有一预设距离。本发明利用所述堆叠结构与源极的交叠，可以增大隧穿面积，进而增大驱动电流；另外，所述堆叠结构与所述漏极在水平方向上具有一预设距离，通过该预设距离可以抑制隧穿场效应晶体管中的双极性效应，降低亚阈电流。 |
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