| 专利名称 | 一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201310573840.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103560152A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 赵清太;俞文杰;刘畅;王曦 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法 至一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一SGOI衬底，包括埋氧层和P型重掺杂SiGe；在所述P型重掺杂SiGe依次沉积形成硅层和N型重掺杂SiGe；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述N型重掺杂SiGe，在所述硅层一侧表面形成漏极；刻蚀所述硅层形成具有纳米线或纳米棒结构的沟道；利用化学腐蚀工艺去除所述沟道下部分P型重掺杂SiGe，使所述沟道悬空，与所述漏极处于相对的另一侧的P型重掺杂SiGe定义为源极，所述漏极、沟道和源极构成垂直结构。本发明提供的垂直结构的隧穿场效应晶体管中漏极、沟道和源极为垂直结构，可以增大隧穿面积，提高器件的驱动电流。另外，形成的悬空的沟道可以进一步抑制器件的漏电流。 |
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