| 专利名称 | 化学机械抛光模拟方法及其去除率计算方法 | 申请号 | CN201310576967.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103559368A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 马天宇;陈岚;孙艳 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 化学机械抛光模拟方法及其去除率计算方法 至化学机械抛光模拟方法及其去除率计算方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种化学机械抛光模拟方法及其去除率计算方法，包括：将原有二维版图分解成仅具有x方向互连线段的版图H和仅具有y方向互连线段的版图V两个一维版图；采用预设大小的窗格，分别对二维版图、版图H以及版图V进行窗格划分，在二维版图、版图H以及版图V表面形成多个相对应的窗格i、Hi以及Vi；对二维版图中的任一窗格i，分别计算版图H中与其对应的窗格Hi的去除率，和版图V中与其对应的窗格Vi的去除率；根据版图H中窗格Hi的去除率，和版图V中窗格Vi的去除率，计算所述二维版图中窗格i的去除率。利用该方法能够提高CMP模拟过程中化学机械抛光模拟的精度，从而提高集成电路的良率和性能。 |
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