| 专利名称 | 一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310534339.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103559909A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;封松林 | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C13/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法 至一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半导体激光器；在所述半导体激光器层上制备与其接触的导电透明电极；继续制备与其接触的相变材料层；继续在所述相变材料层上制备导电反射层；接着在所述导电反射层上制备导电通孔上电极并形成位线。该相变存储器单元的特点是利用激光信号实现信息的写入和擦除，利用电信号实现信息的读出，从而充分利用了激光写入的高速特性和电信号读出的高信噪比特性，实现高速的相变存储器。 |
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