| 专利名称 | 一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201310574812.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103558279A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 俞文杰;刘畅;赵清太;王曦 | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法 至一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅纳米线隧穿场效应管的具体步骤包括：提供包括顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底；刻蚀所述顶层硅形成硅纳米线沟道，在所述沟道表面沉积栅介质层；采用离子注入工艺对所述顶层硅进行离子注入，在所述沟道两端形成源极和漏极；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的基于硅纳米线的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。 |
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