| 专利名称 | 聚合物-二氧化硅包覆的碳纳米管复合材料、其制备方法、半固化片及覆铜基板 | 申请号 | CN201310501044.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103554909A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 曾小亮;于淑会;孙蓉 | 主分类号 | C08L79/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C08L79/04(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08K9/10(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K7/00(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;B32B15/08(2006.01)I;B32B15/20(2006.01)I;B32B27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 聚合物-二氧化硅包覆的碳纳米管复合材料、其制备方法、半固化片及覆铜基板 至聚合物-二氧化硅包覆的碳纳米管复合材料、其制备方法、半固化片及覆铜基板 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种聚合物-二氧化硅包覆的碳纳米管复合材料、其制备方法、半固化片及覆铜基板。按质量百分比计，该聚合物-二氧化硅包覆的碳纳米管复合材料包括二氧化硅包覆的碳纳米管5%～25%、聚合物70%～90%及催化剂0.1%～5%。二氧化硅具有较高的绝缘性能，使得二氧化硅包覆的碳纳米管的导电性能较低从而降低了该复合材料的导电性能；并且，二氧化硅抑制了碳纳米管的团聚，同时可以与聚合物发生界面反应，提高了界面相互作用，使得碳纳米管能够在聚合物中均匀分散，有利于制备力学性能较好、介电性能较低的覆铜基板。 |
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