| 专利名称 | 一种制备硫化镉敏化二氧化钛纳米管复合半导体光催化剂的方法 | 申请号 | CN201310539765.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103551167A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 袁浩然;邓丽芳;陈勇;郭华芳;黄宏宇;小林敬幸 | 主分类号 | B01J27/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J27/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备硫化镉敏化二氧化钛纳米管复合半导体光催化剂的方法 至一种制备硫化镉敏化二氧化钛纳米管复合半导体光催化剂的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备硫化镉敏化二氧化钛纳米管复合半导体光催化剂的方法，采用化学浴沉积法在二氧化钛纳米管阵列薄膜上生长一层致密的硫化镉膜，先形成Cd(OH)2混浊液，然后逐滴加入纯氨水直至溶液变澄清，加入硫脲溶液搅拌反应得到混合溶液；然后将二氧化钛纳米管阵列薄膜浸渍入上述混合溶液中，密封，置于60℃水浴中1～4h后，将样品取出用去离子水冲洗表面，然后晾干。本发明直接以硫化镉对二氧化钛纳米管进行敏化，操作简单，成本低廉，为光催化技术进入实用阶段奠定基础，得到的催化剂抑制了光生电子-空穴的复合，提高了光催化反应的量子效率，具有较高的可见光光催化性能，提高了对太阳能的利用率。 |
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