| 专利名称 | 胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物，其制备方法及应用 | 申请号 | CN201310566230.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103554106A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 张志国;王吉政;靳志文;李永舫 | 主分类号 | C07D471/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D471/06(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I | 专利有效期 | 胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物，其制备方法及应用 至胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物，其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物及其制备方法与应用。本发明提供的胺基修饰的苝二酰亚胺衍生物，其结构通式如式I或式II所示，其中，R1选自C1-C10的亚烷基；R2可以相同或不同，各自独立地选自H，C1-C10的烷基，R4取代的C1-C10的烷基；其中R4选自羟基、卤素，烷氧基；R3可以相同或不同，各自独立地选自H、OH、N（R5）2、Cl或Br，其中R5相同或不同，选自H或C1-6烷基。这些苝二酰亚胺材料合成路线具有简单高效、环境污染小、原料廉价、合成成本低、具有很好普适性和重复性等优点，所述胺基氧化胺极性基团不含有对阴离子，显著提高器件的稳定性。 |
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