| 专利名称 | 一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法 | 申请号 | CN201310534290.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103553029A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;王玲;张燕;刘建影;谢晓明 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;C09K5/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法 至一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法，包括步骤：1）对生长衬底进行抛光处理并进行清洗；2）将所述生长衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述生长衬底进行等离子体预处理；3）采用等离子体增强化学气相沉积法于所述生长衬底表面生长竖直石墨烯薄膜；4）将制备出的竖直石墨烯薄膜转移至转移目标上。本发明充分发挥竖直石墨烯薄膜的水平薄膜层的横向散热与竖直方向较大的比表面积带来的纵向散热性，将高功率芯片水平方向的热量通过大的比表面积扩散至周围环境中，从而加快了散热效率。本发明研究了竖直石墨烯薄膜的转移技术，可以很方便的将竖直石墨烯薄膜应用于多种场合中。 |
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