| 专利名称 | 原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN201310504623.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103553616A | 公开（授权）日 | 2014.02.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 裴兵兵;朱云洲;黄政仁;姚秀敏;袁明 | 主分类号 | C04B35/524(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/524(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法 至原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）浆料制备：将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁；（2）真空高压浸渍：将C纤维预制体浸入所述浆料中，于真空状态下保持0.1～1小时，然后通入高压惰性气体至1～10MPa，保压1～4小时；（3）交联固化：将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体；以及（4）高温裂解：将所述预成型体在保护气氛下以2～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃保温1～4小时，以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线，从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。 |
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