| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000056.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203415553U | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括衬底(100)、栅极堆叠、第一层间介质层(115)、源/漏区(101)，其中：所述源/漏区(101)嵌于所述衬底(100)中，所述栅极堆叠形成在所述衬底(100)之上，所述第一层间介质层(115)覆盖所述源/漏区(101)，所述栅极堆叠依次包括：与衬底(100)接触的栅极介质层(111)、金属栅极(112)和CMP停止层(113)，其中，所述CMP停止层(113)的硬度系数大于多晶硅的硬度系数。本实用新型通过增加CMP停止层，有效降低了金属栅的高度，因此有效减少了金属栅与接触区的电容，并优化了后续的接触孔刻蚀工艺。 |
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