| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210246830.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545213A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 秦长亮;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有外延LDD和Halo区域的晶体管器件及其制造方法。采用了外延与自对准各向异性刻蚀相结合的工艺，避免了现有的采用的离子注入以及退火工艺形成Halo和LDD区域制造方法中的问题，在不增加光刻掩膜数量和复杂性的基础上，彻底消除了离子注入造成的源漏区域凹槽表面处晶体结构的破坏，从而避免影响到后续源漏材料外的延生长，同时，本发明也不会因常规的离子注入而导致外延源漏的应力释放，从而保持了源漏应力及其抑制SCE和DIBL效应的效果。 |
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