| 专利名称 | 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 申请号 | CN201310438775.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103546145A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐 | 主分类号 | H03K19/0948(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K19/0948(2006.01)I | 专利有效期 | 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 至抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器，其输入端接输入信号，输出第一缓冲信号（out1），用于消除“低高低”型脉冲；第二缓冲器，其输入端接输入信号，输出第二缓冲信号（out2），用于消除“高低高”型脉冲；8个MOS管，其输出的信号（out_inv）满足反相器，输入（out_inv）信号，输出信号（out）作为抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路的输出信号。本发明采用不同上/下拉驱动能力的缓冲器得到分别能够滤除一种干扰脉冲的（out1）和（out2）信号。采用8个MOS管和1个反相器，通过逻辑操作使得输出信号（out）能够滤除两种干扰脉冲。 |
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