| 专利名称 | 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 | 申请号 | CN201310529303.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545713A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张宇;邢军亮;徐应强;任正伟;牛智川 | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 至一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs／AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs／AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源区由InAs／AlSb电子注入区、InAs／AlSb空穴注入区和InAs／GaInSb／AlSb／GaInSb／InAs?W型量子阱组成。本发明是把W型有源区结构(InAs／GaInSb／AlSb／GaInSb／InAs)和带间级联激光器结构结合而形成的。本发明公开的这种带间级联激光器，通过增加有源区内电子、空穴波函数交叠，从而提高有源区增益和激光器性能。 |
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