| 专利名称 | 单电子晶体管核心结构制备方法及单电子晶体管核心结构 | 申请号 | CN201210237333.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545359A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王强斌;陈中 | 主分类号 | H01L29/76(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/76(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 专利有效期 | 单电子晶体管核心结构制备方法及单电子晶体管核心结构 至单电子晶体管核心结构制备方法及单电子晶体管核心结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了单电子晶体管核心结构的制备方法及单电子晶体管核心结构。该方法包括以下步骤：构建二维DNA基底；用单链DNA对纳米颗粒进行修饰，并用与修饰纳米颗粒的单链DNA不同的单链DNA对第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒进行修饰；将经单链DNA修饰过的第一金纳米棒、第二金纳米棒、第三金纳米棒和纳米颗粒与二维DNA基底进行杂交，从而形成单电子晶体管核心结构，其中，二维DNA基底上连接有伸出二维DNA基底平面的与修饰纳米颗粒、第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针，与修饰第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒中的一个金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针是在二维DNA基底上成直线排列的多条单链DNA探针。 |
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