| 专利名称 | 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 申请号 | CN201310438818.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103546146A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐 | 主分类号 | H03K19/0948(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K19/0948(2006.01)I | 专利有效期 | 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 至抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，该电路由第一缓冲器（101），第二缓冲器（102），选通PMOS管（103），选通NMOS管（104）和反相器（105）构成；其中第一缓冲器用于消除“高低高”型脉冲，其输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端，输出端连接选通PMOS管（103）的栅极；第二缓冲器用于消除“低高低”型脉冲，输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端，输出端连接选通NMOS管（104）的栅极。选通PMOS管（103）漏极同选通NMOS管（104）漏极相连，作为反相器（105）的输入端；反相器（105）的输出端作为抗单粒子瞬态脉冲电路的输出端。 |
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