| 专利名称 | 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 | 申请号 | CN201210246572.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545190A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨红;马雪丽;王文武;韩锴;王晓磊;殷华湘;闫江 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 至栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本公开涉及栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件。本公开的实施例提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和所述pMOSFET区分别具有栅沟槽，所述栅沟槽的底部分别有栅介质层；在所述衬底的表面上形成栅介质保护层；在所述栅介质保护层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成吸氧元素层；在所述吸氧元素层上形成第一功函数调整层；刻蚀所述nMOSFET区之上的第一功函数调整层，直至露出所述刻蚀阻挡层；在所述衬底的表面上形成第二功函数调整层；进行金属层淀积和退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属层；以及去除所述栅沟槽之外的金属层。本公开实施例提供的栅极结构形成方法能够有效降低等效栅氧化层厚度。 |
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