| 专利名称 | 碳纳米管阴极及其制备方法 | 申请号 | CN201310514545.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545158A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 洪序达;陈婷;陈垚;郑海荣 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 碳纳米管阴极及其制备方法 至碳纳米管阴极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种碳纳米管阴极的制备方法，以及通过该方法得到碳纳米管阴极。所述制备方法包括在导电基板上电泳沉积粘结剂层；在沉积粘结剂层的导电基板上电泳沉积碳纳米管薄膜；在真空或保护气氛环境下，对碳纳米管薄膜和粘结剂层进行热压烧结，得到碳纳米管阴极。本发明采用热压烧结工艺，碳纳米管根部在压力作用下，埋入粘结剂基体中，形成牢固的结合，同时降低了与基体的接触电阻，从而提高了碳纳米管的发射电流及电流稳定性。 |
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