| 专利名称 | 一种制备氮化硼单晶的装置及方法 | 申请号 | CN201310543084.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103541000A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄俊;徐科;王建峰;任国强 | 主分类号 | C30B25/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/08(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备氮化硼单晶的装置及方法 至一种制备氮化硼单晶的装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备氮化硼单晶的设备及方法，所述方法包括如下步骤（1）提供一衬底，所述衬底放置在反应部内部的支撑部上；（2）启动加热部，将衬底加热至一第二温度；（3）将反应气体及载气通入所述反应部中，以在衬底上生长氮化硼单晶；其中，所述反应气体为三氯化硼和氨气。本发明的优点在于：1、三氯化硼和氨气作为反应气体以制备氮化硼单晶，以氮化硼多晶或刚玉作为反应部的材料，避免三氯化硼对反应部的腐蚀。2、采用感应加热，可得到晶格质量高的氮化硼单晶。3、使用气相外延技术，可以在较大衬底生长氮化硼单晶，能够制备大尺寸的氮化硼单晶且生长速度快。4、生长设备简单，用材料易得，成本较低，可用于大规模生产。 |
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