| 专利名称 | 制备T相BiFeO3薄膜的方法 | 申请号 | CN201310481726.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103540904A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵亚娟;尹志岗;张兴旺;付振;吴金良 | 主分类号 | C23C14/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/40(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 制备T相BiFeO3薄膜的方法 至制备T相BiFeO3薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备T相BiFeO3薄膜的方法。该方法包括：步骤A，制备BiFeO3材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的沉积腔的适当位置，对沉积腔抽本底真空；步骤C，向沉积腔内通入氧气和氩气，加热蓝宝石衬底至500～750℃；步骤D，调节溅射功率介于50～300W之间，以Ar+及O2+的混合离子束作为离子源轰击溅射靶，在蓝宝石衬底上沉积薄膜；以及步骤E，在溅射完成之后，将蓝宝石衬底的温度降到室温后从沉积腔内取出，在其上得到T相BiFeO3薄膜。本发明步骤简单，易于实现大面积生长制备，有利于促进T相BiFeO3在未来的大规模推广应用。 |
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