| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210245140.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545188A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;张珂珂 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成接触牺牲图形，覆盖源区与漏区并且暴露栅极区域；在衬底上形成层间介质层，覆盖接触牺牲图形并且暴露栅极区域；在暴露的栅极区域中形成栅极堆叠结构；去除接触牺牲图形，留下了源漏接触沟槽；在源漏接触沟槽中形成源漏接触。依照本发明的半导体器件制造方法，通过接触牺牲层工艺有效降低了栅极侧墙与接触区域之间的间距，并且增大了接触区域面积，从而有效减小了器件寄生电阻。 |
1、源头对接，价格透明
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