| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210246706.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545212A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 秦长亮;洪培真;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；刻蚀栅极堆叠结构两侧的衬底，形成C型源漏凹槽；湿法腐蚀C型源漏凹槽，形成∑型源漏凹槽。依照本发明的半导体器件制造方法，通过刻蚀C型源漏凹槽并且进一步湿法腐蚀而形成∑型源漏凹槽，有效增大了沟道区应力并且精确控制了源漏凹槽深度、减小了缺陷，降低凹槽的侧壁和底部的粗糙度，提高了器件性能。 |
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