| 专利名称 | 一种低功函数金属栅形成方法 | 申请号 | CN201210241699.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103545182A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低功函数金属栅形成方法 至一种低功函数金属栅形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种低功函数金属栅形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上生长界面层薄膜；在界面层薄膜上生长高K栅介质层；在高K栅介质层上沉积金属栅功函数层；在金属栅功函数层上沉积功函数调节层；在功函数调节层上沉积填充金属，并进行热处理；进行一次热退火处理和/或二次热退火处理，其中，所述一次热退火处理在生长高K栅介质层完成后进行，所述二次热退火处理在沉积金属栅功函数层完成后进行。通过本发明实施例所提供的技术方案，可以有效增强调节层低功函数金属对于功函数的调节能力，从而实现CMOS器件在低漏电流情况下的低阈值电压。 |
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