| 专利名称 | 一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室 | 申请号 | CN201310437339.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103540914A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王劼;张立国;范亚明;张洪泽 | 主分类号 | C23C16/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/46(2006.01)I | 专利有效期 | 一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室 至一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障