| 专利名称 | 一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法 | 申请号 | CN201310483402.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103543130A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 李斌成;王谦 | 主分类号 | G01N21/63(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/63(2006.01)I | 专利有效期 | 一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法 至一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法，基于半导体材料对强度周期性调制的聚焦激励光束吸收后产生的红外辐射，通过收集和测量光载流子辐射信号测量半导体材料特性参数；通过改变激励光束强度的调制频率，得到光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线；通过改变聚焦透镜和样品之间的间距，得到不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线；通过分析不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线，得到测量装置的频率响应函数并消除其对半导体材料特性测量的影响。本发明弥补了传统方法测量误差较大对测量精度的影响，提高了半导体材料特性参数的测量精度。 |
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