| 专利名称 | 一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置 | 申请号 | CN201310559528.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103541008A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 唐慧丽;徐军;钱小波;罗平;姜大朋;吴锋;王静雅;唐飞 | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B15/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置 至一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置，该方法包括：在单晶炉内安装用于加热和保温形成热场的多个热场部件，其水平同中心安装；将内嵌有铱金模具的带盖铱金坩埚放入热场中心；将特定取向的β-Ga2O3籽晶固定于籽晶夹具；将氧化镓原料放入铱金坩埚内，盖好铱金坩埚盖；抽真空后按混合气比例Ar:CO2=9:1～8:2充至炉腔压强为1.05～1.5MPa；感应加热使氧化镓原料完全融化；烤籽晶5～10分钟后接种；待籽晶与熔体充分熔接后引晶缩颈，直至籽晶截面尺寸缩小至1～2mm；扩肩生长阶段；等径生长阶段；晶体生长结束完全脱离模具顶端时停止提拉，缓慢降至室温，获得透明完整无晶界的高质量片状氧化镓单晶。 |
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