| 专利名称 | 光控-晶控综合膜厚监控方法 | 申请号 | CN201310451684.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103540906A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 朱美萍;易葵;齐红基;邵建达 | 主分类号 | C23C14/54(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/54(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I | 专利有效期 | 光控-晶控综合膜厚监控方法 至光控-晶控综合膜厚监控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于镀膜装置精确控制制备高性能光学薄膜的光控-晶控综合膜厚监控方法，该方法包括：镀膜前向计算机输入镀膜参数；计算机根据输入的镀膜参数给出所镀膜系的镀膜监控表，包括相应层膜的监控波长、理论极值数或晶控系数；镀膜等步骤。本发明综合了光电极值法和石英晶体振荡法的优点，能够克服两者单独使用时石英晶体振荡仪的工具因子易受膜层沉积参数影响，以及光电极值法监控非规整膜系误差大的缺点。该方法可对规整膜系和非规整膜系进行监控，有效降低了膜厚监控误差，提高了薄膜的光谱性能，具有良好的重复性。 |
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