| 专利名称 | 一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法 | 申请号 | CN201210237831.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103540890A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文东;闫坤坤;黄春 | 主分类号 | C23C4/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/10(2006.01)I;C23C4/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法 至一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将碳化硼粉末与碳化硅粉末混合均匀，并将混合后的粉末送入等离子喷涂设备；使用丙酮或酒精对待喷涂的基材表面进行清洗；对清洗好的基材表面进行喷砂处理；通过等离子喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出碳化硼-碳化硅复合涂层。使用本发明所得到的B4C-SiC复合陶瓷涂层在涂层致密化的基础上，能很好的保持碳化硼陶瓷优异的耐腐蚀性以及物理力学性能，从而不影响碳化硼在半导体设备中ICP刻蚀工艺腔室内表面的防蚀处理以及防弹装甲陶瓷方面的应用，同时，提高碳化硼的抗氧化性能和高温性能。 |
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