| 专利名称 | 一种成分可调的三元(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法 | 申请号 | CN201310492129.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103540999A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 程国胜;黄荣;孔涛;卫芬芬;张杰 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种成分可调的三元(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法 至一种成分可调的三元(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种成分可调的(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法，包括：（1）提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由Sb2Se3粉末和Bi2Se3粉末混合形成的生长源；（2）将所述基底和生长源均置于化学气相沉积设备的反应区域中，且使所述基底设置于所述生长源下游，而后将所述反应区域密封；（3）排除所述反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，并将所述反应区域的气压均维持在设定范围，且调整反应温度至设定值，直至反应完成，而后冷却至室温，获得(Sb1-xBix)2Se3纳米线，其中x=0～0.88。本发明利用简单的化学气相沉积的方法，通过改变生长源的比例或者生长温度，得到了成分可调、高质量的单晶(Sb1-xBix)2Se3纳米线，其可作为一种具有良好光电响应性能的新光电探测材料广泛应用。 |
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